|
Growth of InP crystals for radiation detectors and other application
Pekárek, Ladislav ; Yatskiv, Roman
Bulk InP single crystals were grown by Czochralski method. Various dopants were added to the melt to obtain single crystals suitable for radiation detectors and other application. The intentionally doped of InP crystals were characterized by measurements of resistivity and Hall coefficient. Prototype detectors were prepared and evaluated by spectral detection of alpha particles and x-rays.
|
|
Fotoluminiscence erbiem dopovaných krystalů KTaO.sub.3./sub..
Potůček, Zdeněk ; Bryknar, Z. ; Trepakov, Vladimír
V široké teplotní (12 – 300 K) a spektrální (300 – 1200 nm) oblasti byla studována emisní spektra fotoluminiscence krystalů KTaO3:Er s cílem odhalit luminiscenční centra spojená s ionty Er a objasnit jejich optické vlastnosti. Při buzení světlem s energií fotonů větší než je šířka zakázaného pásu byl u krystalů KTaO3:Er pozorován při nízkých teplotách široký asymetrický emisní pás s maximem v blízkosti 490 nm při 12 K, který odpovídá dobře známé “zelené” fotoluminiscenci krystalů KTaO3. Dopování erbiem bylo doprovázeno objevením se úzkých strukturovaných emisních pásů v okolí 550, 660, and 850 nm, které byly přisouzeny zářivým přechodům v Er3+ iontech s 4f11 elektronovou konfigurací.
|
|
Růst krystalů InP pro detektory záření a jiné použití
Pekárek, Ladislav ; Yatskiv, Roman
Monokrystaly indium fosfidu byly připravovány růstem podle metody Czochralského. Do taveniny byly přidávány různé dopanty tak, aby se získaly krystaly vhodné pro detekční účely a jíne aplikace. Krystaly byly charakterizovány měřením Hallova jevu. Byly připraveny prototypy detektorů a vyhodnoceny spektrální detekcí alfa částic a rtg paprsků.
|
| |
| |
| |
| |
| |
| |